Доктор технических наук, профессор, лауреат Сталинской и Ленинской премий, Заслуженный деятель науки Российской федерации. Награжден орденом Ленина и другими правительственными наградами.

Александр Викторович Красилов по праву считается патриархом отечественной полупроводниковой электроники.

Родился в 1910 г. Творческий путь начал в 1932 г. на заводе "Светлана " в Ленинграде, после окончания Киевского политехнического института.

Принимал активное участие в развитии вакуумной электроники. В период Великой Отечественной войны участвовал в создании радиолампового завода в Новосибирске. Был командирован в США с целью заказа оборудования для вакуумной промышленности, где знакомился с работами ведущих электронных фирм того времени: "Дженерал-Электрик", "Вестингауз", "Ар-Си-Эй", "Хьюлет-Паккард", "Вестон".

В 1947 г. начал заниматься твердотельной электроникой. Под его руководством в НИИ "Исток" разработаны и внедрены в производство несколько серий микроволновых кремниевых детекторов сантиметрового и миллиметрового диапазонов, обеспечивающих нужды радиолокации, радиоприборостроения и СВЧ измерительной техники. Одновременно был разработан комплекс аппаратуры для измерения всех электрических параметров детекторов, включая измерения на сверхвысоких частотах. За эти работы А. В. Красилову в 1949 г. была присуждена Сталинская премия.

В 1949 г. совместно с С. Г. Мадоян создал первый в СССР действующий макет транзистора. В "Вестнике информации" издательства "Советское радио" № 21 за 15 ноября 1948 г. опубликовал первую в СССР статью о транзисторах под названием "Кристаллический триод".

В 1950-1952 гг. совместно с Ф. А. Щиголем создал образцы точечных транзисторов, представляющих уже промышленные образцы типа С1 и С2. Они послужили основой первых транзисторных приемников и слуховых аппаратов.

В 1951-1953 гг. руководил выпуском серии низкочастотных германиевых диодов, которыми были снабжены первые в СССР вычислительные машины на полупроводниках.

С августа 1953 г. А. В. Красилов - начальник отдела НИИ "Пульсар ". За более чем 20-летний срок пребывания на этой должности руководил разработкой, усовершенствованием, исследованием и внедрением в производство на опытном заводе НИИ и на девяти заводах в разных частях страны сотен типов германиевых диодов, транзисторов, туннельных диодов. В процессе этих работ были изучены основные свойства германия, способы его обработки, принципы конструирования приборов, методы их испытаний, пути достижения необходимой герметичности и надежности, в том числе для работы в особых условиях.

C 1960 года в отделе А.В. Красилова начаты работы по освоению нового перспективного материала – арсенида галлия. Разработаны СВЧ генераторные туннельные диоды, получены первые образцы приборов с монокристаллическими гетеропереходами, первые образцы генераторов Ганна, начата разработка планарной технологии на арсениде галлия для СВЧ полевых транзисторов. В 1968 году разрабатываются первые малошумящие полевые транзисторы на арсениде галлия. Основы, заложенные А.В. Красиловым, послужили фундаментом для разработки и внедрения серии малошумящих и мощных СВЧ полевых транзисторов на арсениде галлия.

В отделе А. В. Красилова прошли хорошую научную и практическую школу многие специалисты, являющиеся ныне основными разработчиками, теоретиками и исследователями приборов, возглавляющие важнейшие участки работы. Пятнадцать учёных под его руководством стали кандидатами технических наук. В отделе разработаны сотни типов приборов, в том числе первые в мире лавинно-пролетные диоды, отмеченные Ленинской премией.

А. В. Красилов - автор ряда новых направлений конструирования и изготовления полупроводниковых приборов, таких как методы диффузии легирующих примесей в кристаллы германия и кремния, метод эпитаксиального наращивания, методы пиролитического разложения соединений германия, кремния и металлов, методы травления полупроводниковых приборов и многие другие основополагающие методы технологии.

А. В. Красилов - автор более 80 научных работ, под его руководством выполнено более 100 НИОКР. На монографии «Методы расчета транзисторов», написанной А.В. Красиловым совместно с А.Ф. Трутко, выучилось несколько поколений разработчиков полупроводниковых приборов.